参考书目
1.叶良修《半导体物理上册》
2.尼曼《半导体物理与器件》和《半导体器件导论》、皮埃罗《半导体器件基础》
3.施敏的西交大出版《半导体器件物理》和苏大出版《半导体器件物理与工艺》
4.北大黄昆韩汝琦《半导体物理基础》
5.刘树林《半导体器件物理》
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考研真题
一、名词解释
受主、雪崩击穿、异质结、费米钉扎(还有两个记不清了,历年真题中可以找到)
二、半导体A、B的电导率-温度曲线如下
1.说明A、B半导体的类型,并说明原因
2.A、B分别产生如下曲线的机制是什么
三、题干给出了两种材料(n型Eg较窄,p型Eg较宽)的能带图,画出这两种材料形成异质结后在如下情形的能带图
1.无外加偏压
2.施加反向偏压Va
四、p-mos管(n型衬底)中,Wm<Ws,SiO2层厚度及介电常数已知,
SiO2层中存在以密度为常数ρ的电荷分布
1.写出平带电压表达式
2.画出平带时的能带图
五、PN结P型区及N型区均均匀掺杂,浓度为Na,Nd
1.算出施加正向偏压Va时p区边界少子浓度
2.画出正偏时I-V曲线
3. Na,Nd很小时,I-V曲线与理想曲线有什么区别
六、同时在Si中掺入Na,Nd,Na>Nd
1.写出电荷守恒表达式
2.写出低温区Ef与T的关系
3.示意在能带图中画出Ef随T的变化曲线
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